FETLERİN YAPISI
NPN ve PNP tipi olarak adlandırılan klasik tip transistörler (İki Kutuplu Jonksiyon Transistör - BJT) alçak giriş empedansına sahiptirler. BJT 'ler, hem elektron akımı hem de delik (boşluk) akımının kullanıldığı akım kontrollü elemanlardır.
FET (Field Effect Transistör - Alan Etkili Transistör) ise yüksek giriş empedansına sahip, tek kutuplu, gerilim kontrollü bir elemandır. Elektrik alanı prensiplerine göre çalıştığından alan etkili transistörler olarak bilinir. FET 'ler, transistörlerin kullanıldığı yerlerde rahatlıkla kullanılıbilir.
FET 'lerin klasik transistörlere (BJT) göre üstünlükleri şöyle sıralanabilir:
Giriş empedansları daha yüksektir. (BJT 'de 2KΩ iken FET 'lerde yaklaşık 100MΩ 'dur.)
Anahtar olarak kullanıldığında, sapma gerilimi yoktur.
Radyasyon (yayınım) etkisi yoktur.
BJT 'lere nazaran daha az gürültülüdür.
Isısal değişimlerden etkilenmezler.
BJT 'lere göre daha küçüktür. Bu nedenle entegrelerde daha fazla kullanılırlar.
Yüksek giriş empedansı ve alçak elektrodlar arası kapasitans özelliği ile yüksek frekans devrelerinde rahtlıkla kullanılırlar.
BJT 'lere göre sakıncası ise band genişliklerinin dar olması ve çabuk hasar görebilmesidir.
Alan etkili transistörler (FET) iki ana gruba ayrılır:
JFET (Junction Field Effect Transistor, Eklem Alan Etkili Transistör)
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistör, Metal Oksit Yarı İletken Alan Etkili Transistör)
JFET'in Çalışması
BJT 'lerde olduğu gibi JFET 'lerde de 3 terminal vardır. Bunlar; Drain (Oluk, Akaç), Source (Kaynak) ve Gate (Kapı, Geçit) dir. Transistörlerde, kollektörün karşılığı drain, emiterin karşılığı source, beyzin karşılığı gate 'dir. Transistörler nasıl NPN ve PNP tipi olmak üzere iki tipte ise JFET 'ler de;
* n - kanallı JFET
* p - kanallı JFET
olmak üzere iki tipte imal edilirler.
şekil1 n-kanallı JFET 'in Fiziksel Yapısı ve Sembolü şekil2 p-kanallı JFET 'in Fiziksel
Yapısı veSembolü
Şekil 1 'de görüldüğü gibi n-tipi bir maddenin iki yanına p-tipi madde enjekte edilerek n-kanallı JFET elde edilir. İki p-tipi madde birleştirilerek gate ucu çıkarılır. n-tipi maddenin bir ucu Drain, diğer ucu da Source 'dur. Burada gövde n-tipi maddeden meydana geldiği için JFET 'in adı n-kanallıdır.Gövdenin yapıldığı maddenin adı JFET 'in tipini belirler. JFET 'in çalışmasında n-kanallı üzerinde durulacaktır.
Aynı şekilde eğer gövde p-tipi maddeden oluşursa p-kanallı JFET elde edilmiş olur. (Şekil 2) Sembollerden de anlaşılacağı gibi ok yönü gate 'e doğru ise n-kanallı, gate 'ten dışarı doğru ise p-kanallı JFET 'tir.
Şekil 1.2 - JFET 'in çalışması
Şekil 1.2 'de n-kanallı bir JFET 'in uygun çalışma için harici güç kaynaklarına nasıl irtibatlandırıldığı gösterilmiştir. Drain, RL yük direnci üzerinden VDD drain güç kaynağının pozitif terminaline, Source VDD 'nin negatif terminaline irtibatlandırılır. Gate, VGG güç kaynağının negatif terminaline bağlanır. Bu irtibatla Gate-Source p-n eklemi ters bayaslanmıştır yani polarmalandırılmıştır. Gate p- maddesinden oluştuğu için VGG güç kaynağının (-) terminali gate 'e, (+) terminali source 'a bağlanarak ters polarma sağlanmıştır. Gate 'in ters polarmalanmasıyla devreden akan gate akımı son derece küçük değerdeki bir ters akımdır.
ID drain akımı, JFET üzerinde source 'den drain 'e doğru akar. (Akımın, güç kaynaklarının (-) terminalinden, (+) terminale dolaştığı kabul edilmiştir.)
İlk durumda VGG güç kaynağının olmadığını, gate ucunun doğrudan şaseye bağlı olduğunu düşünelim, Bu durumda VGG=0V olduğu için Gate-Source arası voltaj da (VGS) o Volt 'tur. Bu anda ID akımı, n-tipi maddenin direnci ve RL tarafından limitlenir. JFET üzerinden drain akımı (ID) arttkça n-madde parçası boyunca bu gerilim düşümü meydana gelir. Bu gerilim, source 'a göre pozitif olup, gate p-n eklemini ters polarmalanmıştır.
p-n eklemi ters polarmalandığı her durumda, eklem civarında; içinde akım taşıyıcıları bulunmayan bir boşluk bölgesi (eklem setti) meydana gelir. Bu furum Şekil 1.3 'te p maddelerinin çevresinde gösterilmiştir. p maddelerinin çevresindeki boşluk bölgesinde akım taşıyıcıları olmadığından ID drain akımı akamaz. Böylece, drain kımı boşluk bölgeleri arasındaki sahada sınırlandırılmış olunur. Bu bölge kanal olarak adlandırılır. VDD kaynak voltajı arttıkça drain akımı da artar. Fakat bu artış doğrusal değildir. Bu artışın doğrusal olmamasının nedeni, gate p-n eklemindeki ters polarmalanmasının artmasındandır.
Şekil 1.3 'te VDD = 4 Volt iken boşluk bölgesi ile VDD = 6 Volt iken boşluk bölgesinin durumu görülmektedir. VDD drain kaynak voltajının daha fazla arttırılması (VDD = 6V) Şekil 1.3 'te görüldüğü gibi boşluk bölgelerinin birbirine daha fazla yaklaşmasına neden olur. Böyle bir durumda drain kaynak voltajnın daha fazla arttırılması ID drain alımında çok az bir artış meydana getirir.
Böylece drain akımı saturasyona (doyum) ulaşmış olur. Drain akımının saturasyon değerine ulaştığı noktaya PINCH - OFF noktası denir. Pimch - off nokasına kritik gerilim adı da verilebilir. VP ile gösterilir. Bu değer n-kanallı JFET 'te negatif, p-kanallı da ise pozitif değerdir.
Şekil 1.4 - n-kanallı JFET Karakteristik Eğrisi
Şekil 1.4 'te gösterilen karakteristik eğrinin yatay ekseni Drain - source arası voltajı, dikey ekseni ise ID drain akımını gösterir. Şimdi JFET 'in çalışmasını bu karakteristik eğri üzerinda tekrar edelim;
**Gate - Source gerilimi (VGS) Şekil 1.2 'de olduğu gibi VGG bataryası ile sağlanırsa JFET 'ten ID akımı akar. Gate - Source eklemi VGG bataryası ile ters polarmalandığı için gate akımı IG=0 olur.
**Şekil 1.3 'te olduğu gibi gate - source arası voltaj 0 Volta ayarlandığında ID drain akımı önemli bir büyüklüktedir ve IDSS olarak adlandırılır. (IDSS = Gate - Source eklemi kısa devre olduğunda Drain - Source arasında akan akım) VDS, sıfırdan itibaren yaklaşık 4 Volta kadar arttırıldığında ID akımıda artar. Karakteristik eğride VA noktası kanal pinch - off noktasıdır. IDSS değeri de yaklaşık 1mA 'dir.
**Pinch - off noktasından itibaren VDS voltaj değişime karşılık ID akım değişimi çok çok azdır. Bu ana saturasyon (doyum) denir.
**Eğer drain kaynak voltajı daha fazla arttırılırsa, ters polarmalı gate ekleminin bozulma olayı (breakdown) meydana gelir. Bu ise yüksek bir ID akımına neden olarak JFET hasara uğrar.
.jpg)
.jpg)
